BFS17和JAN2N4957

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFS17 JAN2N4957 BFS17L

描述 Transistor,Trans Pnp 30V 30mA To72Sot23 Npn Silicon Planar Rf Transistors

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Microsemi (美高森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - TO-72-3 SOT-23

安装方式 - Through Hole -

封装 - TO-72-3 SOT-23

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

耗散功率 - 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

增益 - 25 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 30 @5mA, 10V -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - Contains Lead -

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