PEMB16和PEMB16,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMB16 PEMB16,115

描述 PNP / PNP电阻配备晶体管; R 1 = 22千瓦, R2 = 47千瓦 PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kW, R2 = 47 kWSOT-666 PNP 50V 100mA

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-563 SOT-563

引脚数 - 6

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 5V 80 @5mA, 5V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

耗散功率 - 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW

封装 SOT-563 SOT-563

高度 - 0.6 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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