MIC4426BN和TC4426EOA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MIC4426BN TC4426EOA UCC27423P

描述 低边 MOSFET 灌:1.5A 拉:1.5AMICROCHIP  TC4426EOA  双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 - 8 8

封装 PDIP-8 SOIC-8 PDIP-8

电源电压(DC) - 4.50V (min) 4.00V (min)

工作电压 - 4.5V ~ 18V -

上升/下降时间 20ns, 29ns 19 ns 20ns, 15ns

输出接口数 - 2 2

输出电压 - 18.0 V 330 mV

输出电流 - 1.5 A 4.00 A

供电电流 - 4.50 mA -

通道数 - 2 2

针脚数 - 8 -

耗散功率 - 0.47 W 350 mW

上升时间 - 40ns (Max) 40 ns

下降时间 - 40ns (Max) 40 ns

下降时间(Max) - 30 ns 40 ns

上升时间(Max) - 30 ns 40 ns

工作温度(Max) - 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 470 mW 350 mW

电源电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4V ~ 15V

电源电压(Max) - 18 V 15 V

电源电压(Min) - 4.5 V 4 V

输出电压(Max) - - 450 mV

长度 - 4.9 mm 9.81 mm

宽度 - 3.91 mm 6.35 mm

高度 - 1.42 mm 4.57 mm

封装 PDIP-8 SOIC-8 PDIP-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 -

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