对比图
型号 2N6788U JANTXV2N6788U IRFE120
描述 N沟道MOSFET N-CHANNEL MOSFETMOSFET N-CH 100V 4.5ALLCC N-CH 100V 4.5A
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
封装 BQFN-18 ULCC-18 LLCC
引脚数 - - 18
耗散功率 800mW (Tc) 800mW (Tc) -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
耗散功率(Max) 800mW (Tc) 800mW (Tc) 14000 mW
极性 N-CH - N-CH
连续漏极电流(Ids) 4.5A - 4.5A
上升时间 - - 70 ns
输入电容(Ciss) - - 350pF @25V(Vds)
下降时间 - - 70 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
额定功率(Max) 800 mW - -
封装 BQFN-18 ULCC-18 LLCC
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead -