TIP100和TIP100G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP100 TIP100G 2N5885G

描述 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium−Power Complementary Silicon TransistorsON SEMICONDUCTOR  TIP100G  达林顿双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  2N5885G.  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 2

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-204-2

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 8.00 A 8.00 A 600 mA

输出电压 - 60 V -

输出电流 - 8 A -

针脚数 - 3 2

输入电流 - 1 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 2000 mW 80 W 200 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 - 62.5℃/W (RθJA) 0.875℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 8A 8A 25A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @3A, 4V 1000 @3A, 4V 20

额定功率(Max) 2 W 2 W 200 W

直流电流增益(hFE) - 20 4

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 200000 mW

输入电压 - 2.8 V -

频率 - - 4 MHz

最大电流放大倍数(hFE) 20000 - 100

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-204-2

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tray

最小包装 50 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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