TN0104N3-G和TN0104N3-G-P014

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN0104N3-G TN0104N3-G-P014 TN0104N3-G-P003

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 40 V, 1.5 ohm, 10 V, 1.6 VTrans MOSFET N-CH 40V 0.45A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 40V 0.45A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

耗散功率 1 W 1W (Tc) 1W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

上升时间 7 ns 7 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 70 pF 70pF @20V(Vds) 70pF @20V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 1W (Tc)

额定功率 1 W - -

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 1.8 Ω - -

极性 N-CH - -

阈值电压 1.6 V - -

漏源击穿电压 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.45A - -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

长度 5.21 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Ammo Pack Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

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