5962-8969002LA和IDT6116LA20TPGI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5962-8969002LA IDT6116LA20TPGI IDT6116LA20TPGG

描述 SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 20ns 24Pin CDIPStandard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.3INCH, PLASTIC, DIP-24Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.3INCH, PLASTIC, DIP-24

数据手册 ---

制造商 E2V Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

引脚数 24 - -

封装 DIP DIP DIP

安装方式 - Through Hole -

位数 8 - -

存取时间(Max) 20 ns - -

工作温度(Max) 125 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 3A001.a.2.c EAR99 -

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