CY7C1412BV18-167BZC和CY7C1412BV18-167BZXI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1412BV18-167BZC CY7C1412BV18-167BZXI

描述 36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36 - Mbit的QDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165

存取时间 0.5 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 0.89 mm -

封装 FBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

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