对比图
型号 MJE180G MJE180PWD NTE184
描述 ON SEMICONDUCTOR MJE180G 双极晶体管Trans GP BJT NPN 40V 3A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkNTE ELECTRONICS NTE184 双极性功率晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) NTE Electronics
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126
频率 50 MHz - 2 MHz
针脚数 3 - 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 12.5 W - 40 W
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 80.0 V
集电极最大允许电流 3A 3A 4A
直流电流增益(hFE) 50 - 80
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃
耗散功率(Max) 12500 mW - 40000 mW
额定电压(DC) 40.0 V - -
额定电流 3.00 A - -
最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V -
额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126
长度 7.74 mm - -
宽度 2.66 mm - -
高度 11.04 mm - -
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active - Not Recommended for New Design
包装方式 Bulk - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
HTS代码 - - 85412900951