BF1212R和BF1212R,215

对比图

型号 BF1212R BF1212R,215 BF1212

描述 N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH DUAL GATE 6VN沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 -

封装 SOT-143 SOT-143 SOT-143

频率 - 400 MHz -

额定电流 30.0 mA 30 mA 30.0 mA

耗散功率 - 180 mW -

漏源极电压(Vds) 6.00 V 6 V 6.00 V

增益 - 30 dB -

测试电流 - 12 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 180 mW -

额定电压 - 6 V -

额定电压(DC) 6.00 V - 6.00 V

连续漏极电流(Ids) 30.0 mA - 30.0 mA

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 SOT-143 SOT-143 SOT-143

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free