BLF6G20LS-75和BLF6G20LS-110,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G20LS-75 BLF6G20LS-110,112

描述 RF手册第16版 RF Manual 16th editionTrans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B Bulk

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA

分类 晶体管

基础参数对比

引脚数 - 3

封装 SOT502B SOT-502

安装方式 Surface Mount -

频率 - 1.93GHz ~ 1.99GHz

输出功率 - 25 W

增益 - 19 dB

测试电流 - 900 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

额定电压 - 65 V

额定电流 - -

漏源极电阻 235 mΩ -

阈值电压 - -

漏源击穿电压 65 V -

高度 4.72 mm 4.72 mm

封装 SOT502B SOT-502

长度 20.7 mm -

宽度 9.91 mm -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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