对比图
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
封装 TO-247 TO-3 SOT-93-3
引脚数 - 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 - 275 W 50 W
击穿电压(集电极-发射极) 700 V 450 V 700 V
集电极最大允许电流 8A 30A 8A
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃
额定电压(DC) - 450 V -
额定电流 - 30.0 A -
额定功率(Max) - 275 W -
耗散功率(Max) - 275 W -
封装 TO-247 TO-3 SOT-93-3
长度 - 39.5 mm -
宽度 - 26.2 mm -
高度 - 8.7 mm -
产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
工作温度 - 200℃ (TJ) -