MMSF4N01HDR2和NTMS4N01R2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMSF4N01HDR2 NTMS4N01R2 NDS8425

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 5.8A 8Pin SOIC T/R功率MOSFET 4.2安培, 20伏特N沟道增强模式单一SO- 8封装 Power MOSFET 4.2 Amps, 20 Volts N−Channel Enhancement−Mode Single SO−8 PackageON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET NDS8425, 7.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 SOT SOIC-8 SOIC-8

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOT SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.575 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

额定电压(DC) - 20.0 V -

额定电流 - 4.20 A -

漏源极电阻 - 45.0 mΩ -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) - 20.0 V 20 V

漏源击穿电压 - 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±10.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.20 A -

上升时间 - 35 ns 13 ns

下降时间 - 50 ns 11 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) - - 1098pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 1 W

耗散功率(Max) - - 2.5 W

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