DMN10H170SFDE-13和DMN10H170SFDE-7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DMN10H170SFDE-13 DMN10H170SFDE-7

描述 MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFNMOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

数据手册 --

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 UDFN2020-6 UDFN2020-6

引脚数 - 6

极性 N-CH N-CH

耗散功率 660mW (Ta) 2.03 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 2.9A 2.9A

上升时间 11.1 ns 11.1 ns

输入电容(Ciss) 1167pF @25V(Vds) 1167pF @25V(Vds)

下降时间 12.8 ns 12.8 ns

耗散功率(Max) 660mW (Ta) 660mW (Ta)

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 UDFN2020-6 UDFN2020-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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