对比图
型号 IRLR2905ZPBF IRLR3636PBF STD60NF55LT4
描述 INFINEON IRLR2905ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 55 V, 13.5 mohm, 10 V, 3 VINFINEON IRLR3636PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 6.8 mohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STD60NF55LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 55 V, 12 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 110 W 143 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0135 Ω 0.0068 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 143 W 110 W
阈值电压 3 V 2.5 V 2 V
漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 60A 99A 30.0 A
上升时间 130 ns 216 ns 180 ns
反向恢复时间 - 27 ns -
正向电压(Max) - 1.3 V -
输入电容(Ciss) 1570pF @25V(Vds) 3779pF @50V(Vds) 1950pF @25V(Vds)
下降时间 33 ns 96 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温 - -55℃ ~ 175℃ -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 143W (Tc) 100W (Tc)
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 60.0 A
漏源击穿电压 - - 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±15.0 V
额定功率(Max) - - 110 W
通道数 1 - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2014/06/16
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99