BCR108S和KRC859E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR108S KRC859E

描述 NPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)TES NPN 50V 100mA

数据手册 --

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类

基础参数对比

安装方式 - -

封装 - TES

极性 - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V

集电极最大允许电流 - 100mA

封装 - TES

产品生命周期 Unknown Active

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

香港进出口证 - -

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