2SB754和BD708

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SB754 BD708

描述 2-16B1A PNP 50V 7A互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 2-16B1A TO-220-3

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

极性 PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 60 V

集电极最大允许电流 7A 12A

耗散功率 - 75 W

增益频宽积 - 3 MHz

最小电流放大倍数(hFE) - 15 @4A, 4V

最大电流放大倍数(hFE) - 400

额定功率(Max) - 75 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

耗散功率(Max) - 75000 mW

封装 2-16B1A TO-220-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 9.15 mm

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

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