对比图
描述 2-16B1A PNP 50V 7A互补硅功率晶体管 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
数据手册 --
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
封装 2-16B1A TO-220-3
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
极性 PNP PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 60 V
集电极最大允许电流 7A 12A
耗散功率 - 75 W
增益频宽积 - 3 MHz
最小电流放大倍数(hFE) - 15 @4A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) - 400
额定功率(Max) - 75 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 65 ℃
耗散功率(Max) - 75000 mW
封装 2-16B1A TO-220-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 9.15 mm
产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)