CY7C1518KV18-250BZI和GS8662T18BD-250I

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1518KV18-250BZI GS8662T18BD-250I CY7C1518KV18-250BZC

描述 CY7C1518AV18 72 Mb (4 M x 18) 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM - FBGA-165静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 4M x 18 72M72兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 72-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) GSI Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 165 - 165

封装 FBGA-165 BGA-165 FBGA-165

时钟频率 250 MHz - 250 MHz

位数 18 - -

存取时间(Max) 0.45 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V - 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - - 0.45 ns

电源电压(Max) - - 1.9 V

电源电压(Min) - - 1.7 V

高度 0.89 mm - 0.89 mm

封装 FBGA-165 BGA-165 FBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead

ECCN代码 3A991.b.2.a - -

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