71V2556SA133BGG和IDT71V3556SA133BGG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V2556SA133BGG IDT71V3556SA133BGG 71V3556SA133BGG

描述 静态随机存取存储器 3.3V 128Kx36 ZBT Sync 静态随机存取存储器 2.5V128K ×36 , 256K ×18的3.3V同步ZBT SRAM的3.3VI / O ,突发计数器输出流水线 128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs静态随机存取存储器 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 BGA-119 BGA PBGA-119

引脚数 - - 119

封装 BGA-119 BGA PBGA-119

长度 - - 14 mm

宽度 - - 22 mm

高度 - - 2.15 mm

厚度 - - 2.15 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -

电源电压 3.135V ~ 3.465V - 3.135V ~ 3.465V

存取时间 - - 4.2 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) - 0℃ ~ 70℃ (TA)

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