APT15GN120SDQ1G和APT20GF120SRDQ1G

对比图

型号 APT15GN120SDQ1G APT20GF120SRDQ1G IXST15N120BD1

描述 高速PT IGBT High Speed PT IGBTIGBT w/ anti-parallel diodeATrans IGBT Chip N-CH 1.2kV 30A 3Pin(2+Tab) TO-268

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268 TO-268 TO-268-3

引脚数 3 3 -

击穿电压(集电极-发射极) - - 1200 V

反向恢复时间 - - 30 ns

额定功率(Max) - - 150 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 195000 mW 200000 mW -

额定电压(DC) - 1.20 kV -

额定电流 - 36.0 A -

封装 TO-268 TO-268 TO-268-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free