OP603TX和OP603TXV

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 OP603TX OP603TXV

描述 High Reliability NPN Silicon PhototransistorHigh Reliability NPN Silicon Phototransistor

数据手册 --

制造商 TT Electronics/Optek Technology TT Electronics/Optek Technology

分类 光电晶体管光电晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2

封装 Pill Pill

视角 36° 36°

耗散功率 50 mW 50 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

额定功率(Max) 50 mW 50 mW

下降时间(Max) 20000 ns 20000 ns

上升时间(Max) 20000 ns 20000 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50 mW 50 mW

下降时间 20 µs -

高度 2.92 mm 2.92 mm

封装 Pill Pill

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 125℃ (TA) -55℃ ~ 125℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead

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