BU2515AF和BU2525AF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BU2515AF BU2525AF BU2522AF

描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power TransistorSilicon Diffused Power Transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Philips (飞利浦)

分类

基础参数对比

封装 TO-247 TO-247 -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 800 V 800 V -

集电极最大允许电流 9A 12A -

封装 TO-247 TO-247 -

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

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