对比图
型号 APT10026JLL IXFN34N100 APT10025JVFR
描述 Trans MOSFET N-CH 1kV 30A 4Pin SOT-227SOT-227B N-CH 1000V 34ATrans MOSFET N-CH 1kV 34A 4Pin SOT-227
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Chassis Screw
引脚数 - - 4
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227
额定电压(DC) 1.00 kV - 1.00 kV
额定电流 30.0 A - 34.0 A
耗散功率 - 700 W 700 W
输入电容 7.11 nF - 18.0 nF
栅电荷 267 nC - 990 nC
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1.00 kV
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 34A 34.0 A
上升时间 - 65 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 7114pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds)
下降时间 - 30 ns 16 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 700W (Tc) 700000 mW
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 280 mΩ -
极性 - N-CH -
漏源击穿电压 - 1000 V -
额定功率(Max) 595 W 700 W -
封装 SOT-227 SOT-227-4 SOT-227
长度 - 38.2 mm -
宽度 - 25.07 mm -
高度 - 9.6 mm -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -