对比图
型号 BUK9660-100A BUK9660-100A,118 934056285118
描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道 VDS=100V VGS=±10V ID=26A P=106W26A, 100V, 0.067ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)
分类 MOS管
封装 D2PAK TO-263-3 -
安装方式 - Surface Mount -
极性 N-CH - -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -
连续漏极电流(Ids) 26A - -
耗散功率 - 106 W -
上升时间 - 124 ns -
输入电容(Ciss) - 1924pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) - 106 W -
下降时间 - 67 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 106W (Tc) -
封装 D2PAK TO-263-3 -
长度 - 10.3 mm -
宽度 - 9.4 mm -
高度 - 4.5 mm -
产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -