BUK9660-100A和BUK9660-100A,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9660-100A BUK9660-100A,118 934056285118

描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETN沟道 VDS=100V VGS=±10V ID=26A P=106W26A, 100V, 0.067ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3 -

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 26A - -

耗散功率 - 106 W -

上升时间 - 124 ns -

输入电容(Ciss) - 1924pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 106 W -

下降时间 - 67 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 106W (Tc) -

封装 D2PAK TO-263-3 -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 4.5 mm -

产品生命周期 Unknown Discontinued at Digi-Key Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台