IDT71V124S20YI和IDT71V124SA20YI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT71V124S20YI IDT71V124SA20YI 5962-8959821M7A

描述 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)引脚革命 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Revolutionary Pinout3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚 3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground PinoutSRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 20ns 32-Pin CSOJ

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Micross

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 SOJ BSOJ-32 SOJ

封装 SOJ BSOJ-32 SOJ

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -

RoHS标准 - Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

ECCN代码 - 3A991 -

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