MUN5237DW1T1和MUN5237DW1T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5237DW1T1 MUN5237DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsON Semiconductor### 数字晶体管,On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6

封装 SOT-363-6 SOT-363-6

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 187 mW 0.385 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 250 mW -

长度 2 mm 2.2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm

高度 0.9 mm 1 mm

封装 SOT-363-6 SOT-363-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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