STP90N4F3和BUK652R6-40C,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP90N4F3 BUK652R6-40C,127 IRL8113PBF

描述 N沟道40 V, 5.0毫欧, 80 A, DPAK , TO- 220 , IPAK , I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailTrans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 105 A

漏源极电阻 - - 6 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 263 W 110 W

产品系列 - - IRL8113

阈值电压 - - 2.25 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - - 105 A

上升时间 60 ns - 38.0 ns

输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 11334pF @25V(Vds) 2840pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 263 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

下降时间 15 ns - -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 263W (Tc) -

通道数 - 1 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

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