MP60和SPB03N60C3ATMA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MP60 SPB03N60C3ATMA1 SMP60N06

描述 TRANSISTOR 50 A, 60 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220, TO-220, 3 PIN, FET General Purpose PowerD2PAK N-CH 600V 3.2APower Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - TO-263-3-2 -

极性 - N-CH -

耗散功率 - 38 W -

漏源极电压(Vds) - 650 V -

连续漏极电流(Ids) - 3.2A -

输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 38 W -

耗散功率(Max) - 38W (Tc) -

封装 - TO-263-3-2 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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