对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD19N10TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.078 ohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 100V 15.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 -
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 50 W 2.5W (Ta), 50W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 15.6 A 15.6A
输入电容(Ciss) 780pF @25V(Vds) 780pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Ta), 50W (Tc)
针脚数 3 -
漏源极电阻 0.078 Ω -
阈值电压 4 V -
上升时间 150 ns -
额定功率(Max) 2.5 W -
下降时间 65 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
额定电压(DC) 100 V -
额定电流 15.6 A -
通道数 1 -
漏源击穿电压 100 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V -
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.6 mm -
宽度 6.1 mm -
高度 2.3 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 -