199D475X0010A2V1E3和199D475X9010A1V1E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 199D475X0010A2V1E3 199D475X9010A1V1E3 199D475X0010A1V1E3

描述 CAP TANT 4.7uF 10V 20% RADIAL199D 系列 4.7 uF ±10 % 10 V 径向 固体 电解质钽电容Cap Tant Solid 4.7uF 10V 20% (4.4 X 7.11mm) Radial 2.54mm 125℃ Bulk

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电容钽电容电容

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 -

封装 - Radial -

额定电压(DC) - 10.0 V 10.0 V

电容 4.70 µF 4.7 µF 4.70 µF

容差 ±20 % ±10 % ±20 %

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定电压 10 V 10 V 10 V

高度 - 7.11 mm -

封装 - Radial -

工作温度 -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 125℃

介质材料 - - Tantalum

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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