对比图
型号 STB5NK52ZD-1 STP5NK52ZD KF5N50IZ
描述 N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN-CH 500V 4.3A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 TO-262-3 TO-220-3 -
极性 - N-CH N-CH
耗散功率 70W (Tc) 25W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 520 V 520 V 500 V
连续漏极电流(Ids) - 4.4A 4.3A
上升时间 - 13.6 ns -
输入电容(Ciss) 529pF @25V(Vds) 529pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 70 W 70 W -
下降时间 - 15 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 70W (Tc) 25W (Tc) -
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 15.75 mm -
封装 TO-262-3 TO-220-3 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active -
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 - EAR99 -