STB5NK52ZD-1和STP5NK52ZD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB5NK52ZD-1 STP5NK52ZD KF5N50IZ

描述 N沟道520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO- 220 - DPAK - I2PAK - IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 520V - 1.22ヘ - 4.4A - TO-220 - DPAK - I2PAK - IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsN-CH 500V 4.3A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-262-3 TO-220-3 -

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 70W (Tc) 25W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 520 V 520 V 500 V

连续漏极电流(Ids) - 4.4A 4.3A

上升时间 - 13.6 ns -

输入电容(Ciss) 529pF @25V(Vds) 529pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 70 W 70 W -

下降时间 - 15 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) 70W (Tc) 25W (Tc) -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 15.75 mm -

封装 TO-262-3 TO-220-3 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active -

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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