对比图
型号 IXFH10N80P IXFQ10N80P IXFA10N80P
描述 N沟道 800V 10ATO-3P N-CH 800V 10AIXYS SEMICONDUCTOR IXFA10N80P 功率场效应管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 10 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 5.5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 1.1 Ω - 1.1 Ω
耗散功率 300 W 300W (Tc) 300 W
阈值电压 5.5 V - 5.5 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V - 800 V
上升时间 22 ns - 22 ns
输入电容(Ciss) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns - 22 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
极性 - N-CH N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 10A -
针脚数 - - 3
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15