对比图
型号 MJE350 MJE350G
描述 功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTOR PNP SILICONON SEMICONDUCTOR MJE350G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 300 V, 20 W, 500 mA, 240 hFE
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-225 TO-126-3
额定电压(DC) -300 V -300 V
额定电流 -500 mA -500 mA
针脚数 - 3
极性 PNP PNP, P-Channel
耗散功率 - 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V
热阻 - 6.25℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 30 30
额定功率(Max) - 20 W
直流电流增益(hFE) - 240
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 20000 mW
最大电流放大倍数(hFE) 240 -
长度 - 7.74 mm
宽度 - 2.66 mm
高度 - 11.04 mm
封装 TO-225 TO-126-3
材质 - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Bulk Bulk
最小包装 500 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99