BSS84-7-F和BSS84LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS84-7-F BSS84LT1G BSS84_NL

描述 三极管ON SEMICONDUCTOR  BSS84LT1G  晶体管, MOSFET, P沟道, 130 mA, -50 V, 10 ohm, 5 V, -2 VTrans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3Pin SOT-23 T/R

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -130 mA -130 mA -

额定功率 - 0.225 W -

无卤素状态 - Halogen Free -

通道数 1 1 -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 10 Ω 10 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 300 mW 225 mW 0.36 W

阈值电压 0.8 V 2 V -

输入电容 45.0 pF 36pF @5V -

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V

漏源击穿电压 50 V 50 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 130 mA 130 mA 0.13A

上升时间 - 9.7 ns -

正向电压(Max) - 2.2 V -

输入电容(Ciss) 45pF @25V(Vds) 30pF @5V(Vds) -

额定功率(Max) 300 mW 225 mW -

下降时间 - 1.7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 225 mW -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 1 mm 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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