IRFR4104PBF和IRFR4104TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR4104PBF IRFR4104TRPBF IRFR3504PBF

描述 INFINEON  IRFR4104PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 5.5 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR3504PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 87 A, 40 V, 0.0078 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0055 Ω 0.0043 Ω 0.0078 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 140 W 140 W 140 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

连续漏极电流(Ids) 119A 119A 87A

上升时间 69 ns 69 ns 53 ns

输入电容(Ciss) 2950pF @25V(Vds) 2950pF @25V(Vds) 2150pF @25V(Vds)

下降时间 36 ns 36 ns 22 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) 140W (Tc)

额定功率 140 W 140 W -

额定功率(Max) 140 W 140 W -

输入电容 - 2950 pF -

长度 6.73 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.39 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

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