对比图
描述 NPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTORNPN硅中功率晶体管 NPN SILICON MEDIUM POWER TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-8-3 TO-8
极性 NPN NPN
耗散功率 1.75 W 1750 mW
击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V
集电极最大允许电流 3A 3A
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW
最小电流放大倍数(hFE) - 35 @750mA, 4V
额定功率(Max) - 1.75 W
封装 TO-8-3 TO-8
材质 Silicon Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead
ECCN代码 EAR99 -