FQD5N50和FQD5N50TM

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD5N50 FQD5N50TM FQD5N50TF

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN沟道 500V 3.5AN沟道 500V 3.5A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) - 500 V 500 V

额定电流 - 3.50 A 3.50 A

漏源极电阻 - 1.80 Ω 1.80 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.50 A 3.50 A

输入电容(Ciss) - 610pF @25V(Vds) 610pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc)

封装 DPAK TO-252-3 TO-252-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台