对比图
描述 Trans RF BJT NPN 24A 4Pin Case M-216Trans RF BJT 65V 22A 4Pin Style M138微波脉冲功率型硅NPN晶体管350W （峰值） ， 1025-1150MHz Microwave Pulse Power Silicon NPN Transistor 350W (peak), 1025-1150MHz
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Screw Screw Chassis
封装 M-216 M138 355E-01
引脚数 4 4 -
耗散功率 880 W 875000 mW 1590 W
输出功率 - - 350 W
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V
增益 8 dB 6.3 dB 9 dB
最小电流放大倍数(hFE) 10 @5A, 5V 10 @1A, 5V 20 @5A, 5V
额定功率(Max) 880 W 875 W 350 W
频率 1090 MHz - -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 880000 mW 875000 mW -
封装 M-216 M138 355E-01
高度 5.84 mm - -
工作温度 250℃ (TJ) 200℃ (TJ) 200℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Bulk Bulk Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -