IXFH15N100P和IXFT15N100

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH15N100P IXFT15N100 IXFV15N100P

描述 TO-247 N-CH 1000V 15ATO-268 N-CH 1000V 15APLUS N-CH 1000V 15A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-220-3

引脚数 3 3 -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 543W (Tc) - 543W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 15A 15A 15A

输入电容(Ciss) 5140pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) 5140pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 543W (Tc) 360000 mW 543W (Tc)

上升时间 44 ns 30 ns -

下降时间 58 ns 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

通道数 1 - -

阈值电压 6.5 V - -

封装 TO-247-3 TO-268-2 TO-220-3

宽度 5.3 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台