IRLZ44NS和IRLZ44NSTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLZ44NS IRLZ44NSTRLPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 47AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 D2PAK-263 TO-263-3

额定电压(DC) 55.0 V -

额定电流 47.0 A -

漏源极电阻 22.0 mΩ (max) 0.022 Ω

极性 N-CH N-CH

产品系列 IRLZ44NS -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0V (min) -

连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47A

上升时间 84 ns 84 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

下降时间 15 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 110W (Tc)

耗散功率 - 110 W

额定功率(Max) - 3.8 W

额定功率 - 83 W

针脚数 - 3

阈值电压 - 2 V

输入电容 - 1700 pF

封装 D2PAK-263 TO-263-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

材质 Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台