MSD1819A-RT1和MSD1819A-RT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSD1819A-RT1 MSD1819A-RT1G

描述 通用放大器晶体管 General Purpose Amplifier TransistorON SEMICONDUCTOR  MSD1819A-RT1G  单晶体管 双极, NPN, 50 V, 150 mW, 100 mA, 90 hFE

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70-3 SC-70-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V

额定电流 100 mA 100 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 150 mW 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 210 210 @2mA, 10V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3

额定功率(Max) - 150 mW

直流电流增益(hFE) - 90

耗散功率(Max) - 150 mW

长度 2.1 mm 2.2 mm

宽度 1.24 mm 1.35 mm

高度 0.85 mm 0.9 mm

封装 SC-70-3 SC-70-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

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