对比图
型号 FS25R12W1T4 FS25R12W1T4BOMA1 FS10R12YT3
描述 INFINEON FS25R12W1T4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 25 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, Module晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 45 A, 1.85 V, 205 W, 1.2 kV, ModuleIGBT Modules N-CH 1.2kV 16A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw - Screw
封装 AG-EASY1B-1 AG-EASY1B-1 EASY-2
引脚数 18 18 -
宽度 33.8 mm - 45.6 mm
封装 AG-EASY1B-1 AG-EASY1B-1 EASY-2
长度 33.8 mm - -
高度 12 mm - -
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Bulk Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 PB free 无铅 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
耗散功率 205 W 205 W -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 1200 V -
输入电容(Cies) 1.45nF @25V 1.45nF @25V -
额定功率(Max) 205 W 205 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
耗散功率(Max) 205 W 205000 mW -
针脚数 18 - -
极性 N-Channel - -
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -