SI7530DP-T1-E3和SI7530DP-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI7530DP-T1-E3 SI7530DP-T1-GE3 FDS4559-F085

描述 MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8MOSFET N/P-CH 60V PWRPAK 8-SOICON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDS4559_F085, 3.5 A,4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 8

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

输入电容(Ciss) - - 650pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2 W

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 2 W

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.575 mm

封装 SO-8 SO-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

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