PIC12F508-E/MS和PIC12F508-I/SN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC12F508-E/MS PIC12F508-I/SN PIC12F508-I/P

描述 PIC12 系列 25 B RAM 768 B 闪存 8位 闪存 微控制器 - MSOP-8MICROCHIP  PIC12F508-I/SN  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F5xx, 4 MHz, 768 Byte, 25 Byte, 8 引脚, SOICMICROCHIP  PIC12F508-I/P  微控制器, 8位, 闪存, AEC-Q100, PIC12F5xx, 4 MHz, 768 Byte, 25 Byte, 8 引脚, DIP

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 MSOP-8 SOIC-8 DIP-8

频率 4 MHz 4 MHz 4 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 4.00MHz (max) 4 MHz 4 MHz

RAM大小 25 B 25 B 25 B

位数 8 8 8

I/O引脚数 6 6 6

存取时间 4.00 µs 4.00 µs 4.00 µs

内核架构 PIC PIC PIC

工作温度(Max) 125 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

工作电压 - 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V

针脚数 - 8 8

耗散功率 - 800 mW 800 mW

FLASH内存容量 - 750 KB 0.75 KB

内核子架构 - PIC12 -

模数转换数(ADC) - 0 0

输入/输出数 - 6 Input 6 Input

电源电压(Max) - 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) - 2 V 2 V

内存容量 - - 750 B

长度 3 mm 4.9 mm 10.16 mm

宽度 3 mm 3.9 mm 6.35 mm

高度 0.85 mm 1.5 mm 3.3 mm

封装 MSOP-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2014/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 8542310001 8542310001 8542310001

香港进出口证 - - NLR

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