MMDF2P02E和MMDF2P02ER2G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMDF2P02E MMDF2P02ER2G MMDF2P02ER2

描述 功率MOSFET 2安培, 25伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P−Channel SO−8, Dual功率MOSFET 2安培, 25伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P−Channel SO−8, Dual功率MOSFET 2安培, 25伏P沟道SO- 8 ,双 Power MOSFET 2 Amps, 25 Volts P−Channel SO−8, Dual

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

引脚数 - 8 8

极性 P-CH P-Channel P-Channel

漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.5A 2.50 A 2.50 A

额定电压(DC) - -25.0 V -25.0 V

额定电流 - -2.50 A -2.50 A

通道数 - 2 -

漏源极电阻 - 250 mΩ 250 mΩ

耗散功率 - 2 W 2.00 W

输入电容 - 475 pF 475 pF

栅电荷 - 15.0 nC 15.0 nC

漏源击穿电压 - 25 V 25.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

输入电容(Ciss) - 475pF @16V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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