1N3036B和BZV85-C47,133

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3036B BZV85-C47,133 1N4756CPE3/TR

描述 1瓦的金属外壳稳压二极管 1 WATT METAL CASE ZENER DIODESDO-41 47V 1.3WZener Diode, 47V V(Z), 2%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 DO-13 DO-41 -

耗散功率 1 W 1300 mW -

测试电流 5.5 mA 4 mA -

稳压值 47 V 47 V -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1V @50mA -

正向电压(Max) - 1V @50mA -

额定功率(Max) - 1.3 W -

耗散功率(Max) - 1300 mW -

封装 DO-13 DO-41 -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 - Tape & Box (TB) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ -

温度系数 - 44.95 mV/K -

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