ADR03AR和REF5025AIDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR03AR REF5025AIDR REF5025AID

描述 超小型Precision10 V / 5 V / 2.5 V / 3.0 V电压参考 Ultracompact Precision10 V/5 V/2.5 V/3.0 V Voltage ReferencesTEXAS INSTRUMENTS  REF5025AIDR  电压参考系列-固定, 2.5V参考, ± 3ppm/°C, SOIC-8 新2.5V 至 3.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

容差 - ±0.1 % ±0.1 %

输入电压(DC) 40.0V (max) 2.70V ~ 18.0V 2.70V ~ 18.0V

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 ≤10.0 mA 10 mA 10 mA

供电电流 - 1.2 mA 1.2 mA

通道数 1 1 1

针脚数 - 8 8

静态电流 - 800 µA 800 µA

输入电压(Max) 36 V 18 V 18 V

输出电压(Max) - 2.5 V 2.5 V

输出电压(Min) - 2.5 V 2.5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA 10 mA

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

精度 - 0.05 % 0.05 %

输入电压 - 2.7V ~ 18V 2.7V ~ 18V

输入电压(Min) - - 2.7 V

宽度 - 3.91 mm 4 mm

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - - 5 mm

高度 - - 1.5 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃

温度系数 ±3.00 ppm/℃ ±8 ppm/℃ ±8 ppm/℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99

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