对比图
型号 JAN2N3868 JAN2N3868S 2N3868
描述 硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-5 TO-205 TO-5
耗散功率 1 W - -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V -
最小电流放大倍数(hFE) 30 @1.5A, 2V 30 @1.5A, 2V -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW
封装 TO-5 TO-205 TO-5
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bag Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -