对比图
型号 AFT18S290-13SR3 AFT20P140-4WNR3 MRF8S18120HR3
描述 RF Power Transistor,1805 to 1995MHz, 263W, Typ Gain in dB is 18.2 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1801RF Power Transistor,1880 to 2025MHz, 130W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2025MHz, 28V, LDMOS, SOT1818GSM, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1805-1880MHz, 72W CW, 28V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 5 3
封装 NI-880XS-2L4S OM-780-4 NI-780H-2L
频率 1.96 GHz 1.88GHz ~ 1.91GHz 1.81 GHz
额定电流 10 µA 10 µA 10 µA
输出功率 63 W 24 W 72 W
增益 18.2 dB 17.8 dB 18.2 dB
测试电流 2 A 500 mA 800 mA
工作温度(Max) 225 ℃ 125 ℃ 225 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -65 ℃
额定电压 65 V 65 V 65 V
电源电压 28 V 28 V -
无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free
封装 NI-880XS-2L4S OM-780-4 NI-780H-2L
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 -40℃ ~ 225℃ - -