BC848CLT1G和BC849CLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC848CLT1G BC849CLT1G BC848C

描述 NPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.ON SEMICONDUCTOR  BC849CLT1G  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC848C  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 300 MHz, 310 mW, 100 mA, 110 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

针脚数 3 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 300 mW 225 mW 310 mW

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 420 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW -

直流电流增益(hFE) 420 420 110

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

长度 2.9 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.94 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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